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首爾半導(dǎo)體推出利用GaN晶體非極性面的白光LED

韓國(guó)首爾半導(dǎo)體（Seoul Semiconductor）開(kāi)發(fā)出了在1mm見(jiàn)方藍(lán)光LED芯片上組合熒光材料，實(shí)現(xiàn)了光通量為500lm左右的白光LED，并在“日本第5屆新一代照 明技術(shù)展”（2013年1月16～18日于東京有明國(guó)際會(huì)展中心舉行）上展出。