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本書是CMOS集成電路設(shè)計領(lǐng)域的一部力作，是作者20多年教學(xué)和研究成果的總結(jié)，內(nèi)容涵蓋電路設(shè)計流程、EDA軟件、工藝集成、器件、模型、數(shù)字和模擬集成電路設(shè)計等諸多方面，由基礎(chǔ)到前沿，由淺入深,結(jié)構(gòu)合理，特色鮮明。
本書對學(xué)生、科研人員和工程師各有所側(cè)重。無論對于哪一種類型的讀者而言，本書都是一本極好的參考書。

第1章　CMOS設(shè)計簡介　
1.1　CMOS集成電路設(shè)計流程　
　1.2　CMOS基礎(chǔ)　
　　1.2.1　CMOS縮寫　
　　1.2.2　CMOS倒相器　
　　1.2.3　第一款CMOS電路　
　　1.2.4　模擬CMOS設(shè)計　
　1.3　SPICE簡介　
　　1.3.1　生成網(wǎng)表　
　　1.3.2　工作點(diǎn)　
　　1.3.3　傳輸函數(shù)分析　
　　1.3.4　壓控電壓源　
　　1.3.5　理想運(yùn)算放大器　
　　1.3.6　子電路　
　　1.3.7　直流分析　
　　1.3.8　繪制IV曲線　
　　1.3.9　雙環(huán)直流分析　
　　1.3.10　瞬態(tài)分析　
　　1.3.11　SIN源　
　　1.3.12　RC電路實(shí)例　
　　1.3.13　另一種RC電路實(shí)例　
　　1.3.14　交流分析　
　　1.3.15　十倍頻程和倍頻程　
　　1.3.16　分貝　
　　1.3.17　脈沖語句　
　　1.3.18　有限脈沖上升時間　
　　1.3.19　階躍響應(yīng)　
　　1.3.20　RC電路的延遲與上升時間　
　　1.3.21　分段線性源　
　　1.3.22　仿真開關(guān)　
　　1.3.23　電容的初始化條件　
　　1.3.24　電感的初始化條件　
　　1.3.25　LC回路的Q值　
　　1.3.26　理想積分器的頻率響應(yīng)　
　　1.3.27　單位增益頻率　
　　1.3.28　積分器的時域特性　
　　1.3.29　收斂性　
　　1.3.30　一些常見的錯誤和有用的技巧　
　　延伸閱讀　
　　習(xí)題　
第2章　阱　
　2.1　圖形制作　
　2.2　N阱的版圖設(shè)計　
　2.3　阻值的計算　
　2.4　N阱/襯底二極管　
　　2.4.1　PN結(jié)物理學(xué)簡介　
　　2.4.2　耗盡層電容　
　　2.4.3　存儲或擴(kuò)散電容　
　　2.4.4　SPICE建模　
　2.5　N阱的RC延遲　
　2.6　雙阱工藝　
　　延伸閱讀　
　　習(xí)題　
第3章　金屬層　
　3.1　連接焊盤　
　3.2　用金屬層進(jìn)行設(shè)計和版圖繪制　
　　3.2.1　metal1和via1　
　　3.2.2　與金屬層相關(guān)的寄生器件　
　　3.2.3　電流運(yùn)載極限　
　　3.2.4　金屬層的設(shè)計規(guī)則　
　　3.2.5　接觸電阻　
　3.3　串?dāng)_和地電位上跳　
　　3.3.1　串?dāng)_　
　　3.3.2　地電位上跳　
　3.4　LASI版圖設(shè)計實(shí)例　
　　3.4.1　連接焊盤的版圖設(shè)計Ⅱ　
　　3.4.2　金屬測試結(jié)構(gòu)的版圖設(shè)計　
　　延伸閱讀　
　　習(xí)題　
第4章　有源層和多晶硅層　
第5章　電阻、電容、MOS管　
第6章　MOS管工作原理　
第7章　CMOS制備　
第8章　電噪聲概述　
第9章　模擬設(shè)計模型　
第10章　數(shù)字設(shè)計模型　
第11章　反相器　
第12章　靜態(tài)邏輯門　
第13章　鐘控電路　
第14章　動態(tài)邏輯門　
第15章　VLSI版圖設(shè)計舉例　
第16章　存儲器電路　
第17章　Δ∑調(diào)制感測　
第18章　專用CMOS電路　
第19章　數(shù)字鎖相環(huán)