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當(dāng)今CMOS集成電路的特征尺寸已進(jìn)入了納米時(shí)代。本書全面介紹了納米CMOS集成電路技術(shù)。包括納米尺度下的器件物理、集成電路的制造工藝和設(shè)計(jì)方法；介紹了存儲(chǔ)器、專用集成電路和片上系統(tǒng)；突出了漏電功耗問題和低功耗設(shè)計(jì)，討論了工藝擾動(dòng)和環(huán)境變化對(duì)集成電路可靠性和信號(hào)完整性的影響。書中還包括了有關(guān)納米CMOS集成電路的測(cè)試、封裝、成品率和失效分析，并在最后探討了未來CMOS特征尺寸縮小的趨勢(shì)和面臨的挑戰(zhàn)。
    本書基于作者長(zhǎng)期在Philips和NXPSemiconductors公司講授CMOS集成電路內(nèi)部課程時(shí)出版的三部專著的內(nèi)容，并參考當(dāng)今工業(yè)界最先進(jìn)的水平對(duì)這些內(nèi)容進(jìn)行了全面修訂和更新，這保證了本書內(nèi)容與集成電路工業(yè)界的緊密聯(lián)系。本書結(jié)構(gòu)嚴(yán)謹(jǐn)，可讀性強(qiáng)，書中附有大量的插圖和照片，列出了許多有價(jià)值的參考文獻(xiàn)，并提供了許多富有思考意義的練習(xí)題，因此本書是一本既適于教學(xué)、又適于自學(xué)的納米CMOS集成電路技術(shù)的專業(yè)引論書。
   本書可作為高等院校電子科學(xué)與技術(shù)(包括微電子與光電子)、電子與信息工程、精密儀器與機(jī)械制造、自動(dòng)化、計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)等專業(yè)本科高年級(jí)學(xué)生和研究生有關(guān)納米集成電路設(shè)計(jì)與制造方面課程的教科書，也可作為從事這一領(lǐng)域及相關(guān)領(lǐng)域的工程技術(shù)人員的參考書。<p>    當(dāng)今CMOS集成電路的特征尺寸已進(jìn)入了納米時(shí)代。本書全面介紹了納米CMOS集成電路技術(shù)。包括納米尺度下的器件物理、集成電路的制造工藝和設(shè)計(jì)方法；介紹了存儲(chǔ)器、專用集成電路和片上系統(tǒng)；突出了漏電功耗問題和低功耗設(shè)計(jì)，討論了工藝擾動(dòng)和環(huán)境變化對(duì)集成電路可靠性和信號(hào)完整性的影響。書中還包括了有關(guān)納米CMOS集成電路的測(cè)試、封裝、成品率和失效分析，并在最后探討了未來CMOS特征尺寸縮小的趨勢(shì)和面臨的挑戰(zhàn)。<br />     本書基于作者長(zhǎng)期在Philips和NXP Semiconductors公司講授CMOS集成電路內(nèi)部課程時(shí)出版的三部專著的內(nèi)容，并參考當(dāng)今工業(yè)界最先進(jìn)的水平對(duì)這些內(nèi)容進(jìn)行了全面修訂和更新，這保證了本書內(nèi)容與集成電路工業(yè)界的緊密聯(lián)系。本書結(jié)構(gòu)嚴(yán)謹(jǐn)，可讀性強(qiáng)，書中附有大量的插圖和照片，列出了許多有價(jià)值的參考文獻(xiàn)，并提供了許多富有思考意義的練習(xí)題，因此本書是一本既適于教學(xué)、又適于自學(xué)的納米CMOS集成電路技術(shù)的專業(yè)引論書。<br />     本書可作為高等院校電子科學(xué)與技術(shù)(包括微電子與光電子)、電子與信息工程、精密儀器與機(jī)械制造、自動(dòng)化、計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)等專業(yè)本科高年級(jí)學(xué)生和研究生有關(guān)納米集成電路設(shè)計(jì)與制造方面課程的教科書，也可作為從事這一領(lǐng)域及相關(guān)領(lǐng)域的工程技術(shù)人員的參考書。</p>

第1章　基本原理
  1.1　引言
  1.2　場(chǎng)效應(yīng)原理
  1.3　反型層MOS晶體管
  1.4　推導(dǎo)簡(jiǎn)單的MOS公式
  1.5　背偏置效應(yīng)(背柵效應(yīng)、體效應(yīng))和正偏置效應(yīng)
  1.6　表征MOS晶體管行為的參數(shù)
  1.7　不同類型的MOS晶體管
  1.8　寄生MOS晶體管
  1.9　MOS晶體管符號(hào)
  1.10　MOS結(jié)構(gòu)電容
  1.11　結(jié)論
  1.12　參考文獻(xiàn)
  1.13　練習(xí)題
第2章　幾何、物理和電場(chǎng)按比例縮小對(duì)MOS晶體管行為的影響
  2.1　引言
  2.2　零電場(chǎng)時(shí)的遷移率
  2.3　載流子遷移率的減小
  2.4　溝道長(zhǎng)度調(diào)制
  2.5　短溝和窄溝效應(yīng)
  2.6　溫度對(duì)載流子遷移率及閾值電壓的影響
  2.7　MOS晶體管的漏電機(jī)理
  2.8　MOS晶體管模型
  2.9　結(jié)論
  2.10　參考文獻(xiàn)
  2.11　練習(xí)題
第3章　MOS器件的制造
  3.1　引言
  3.2　用做起始材料的各種襯底(圓片)
  3.3　MOS工藝中的光刻
  3.4　刻蝕
  3.5　氧化
　……
第4章　CMOS電路
第5章　特殊電路、器件和工藝
第6章　存儲(chǔ)器
第7章　超大規(guī)模集成與專用集成電路
第8章　低功耗——IC設(shè)計(jì)的熱點(diǎn)
第9章　納米CMOS設(shè)計(jì)的穩(wěn)定性：信號(hào)完整性、擾動(dòng)和可靠性
第10章　測(cè)試、成品率、封閉、調(diào)試和失效分析
第11章　尺寸縮小對(duì)MOS IC設(shè)計(jì)及半導(dǎo)體技術(shù)路線的影響
索引