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AIGaN/GaN H EMT功率放大器設計

2012-10-09 我要評論(0) 字號:
主題資源: AIGaN  GaN  功率放大器
資料語言: 簡體中文
資料類別: PDF文檔
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更新時間: 2012-10-09 13:39:33
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AIGaN/GaN H EMT功率放大器設計

資料簡介

在小信號 參數不適于微波功率放大器的設計而大信號 參數不易獲得的情況下,利用ADS軟件,采用負載牽引法和輸入端共軛匹配, 成功的設計出A1GaN/GaN HEMT微波功率放大器。為了解決晶體管端口出現負阻的問題,設計了輸入輸出端并聯電阻和反饋網絡兩種方法, 最后得到理想的結果為: 工作絕對穩定,帶寬3.6GHz~8.0GHz,最高增益1 1.04dB,最大輸出功率33dBm,最大PAE達到29.2% ,電壓駐波比較小。

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