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SJ 50033.52-1994 半導(dǎo)體分立器件ＣＳ０５２９型砷化鎵微波功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范

2013-01-06 我要評(píng)論(0) 字號(hào)：大中小

資料語(yǔ)言：	簡(jiǎn)體中文
資料類別：	PDF文檔
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更新時(shí)間：	2013-06-21 16:17:07
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標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：SJ 50033.52-1994
標(biāo)準(zhǔn)名稱：半導(dǎo)體分立器件ＣＳ０５２９型砷化鎵微波功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
行業(yè)分類：電子標(biāo)準(zhǔn)(SJ)
中標(biāo)分類：技術(shù)管理(M01)
ICS分類：－
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本規(guī)范規(guī)定了ＣＳ０５２９型砷化鎵微波功率場(chǎng)效應(yīng)（以下簡(jiǎn)稱器件）的詳細(xì)要求。
英文名稱：Semiconductor discrete device-Detail specification for type CS0529 GaAs microwave power field effect transistor
發(fā)布部門：中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部
發(fā)布日期：1994-09-30
實(shí)施日期：1994-12-01
首發(fā)日期：－
提出單位：－
歸口單位：中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
主管部門：－
起草單位：電子工業(yè)部第五十五研究所
起草人：黃玉英、李祖華、王長(zhǎng)福
計(jì)劃單號(hào)：－
頁(yè)數(shù)：13頁(yè)
出版社：中國(guó)電子工業(yè)出版社
出版日期：1994-12-01

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