LDMOS是在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實(shí)現(xiàn)功率控制等方面的要求，常用于射頻功率電路。LDMOS能經(jīng)受住高于雙極型晶體管3倍的駐波比，能在較高的反射功率下運(yùn)行而沒(méi)有破壞LDMOS設(shè)備;它較能承受輸入信號(hào)的過(guò)激勵(lì)和適合發(fā)射射頻信號(hào)，因?yàn)樗懈呒?jí)的瞬時(shí)峰值功率。LDMOS增益曲線較平滑并且允許多載波射頻信號(hào)放大且失真較小。LDMOS管有一個(gè)低且無(wú)變化的互調(diào)電平到飽和區(qū)，不像雙極型晶體管那樣互調(diào)電平高且隨著功率電平的增加而變化。

一、LDMOS器件電學(xué)特性在線測(cè)試

二、LDMOS器件負(fù)載牽引阻抗參數(shù)測(cè)試

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