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RF-SOI器件建模設(shè)計(jì)的高級(jí)培訓(xùn)課程

2014-05-26 來源:微波射頻網(wǎng) 我要評論(0) 字號(hào):
主題活動(dòng): 射頻器件
主辦單位: 集成電路培訓(xùn)中心(ICTC)
舉辦時(shí)間: 2014年6月12日(周四)
舉辦地址: 上海浦東新區(qū)張江浦東國際人才城(張衡路500弄1號(hào)樓)
關(guān)注次數(shù): 0
報(bào)名網(wǎng)站: http://www.ictc.org.cn
RF-SOI器件建模設(shè)計(jì)的高級(jí)培訓(xùn)課程

活動(dòng)介紹

小巧的造型車間,緊湊型建模邀請函 - 器件模型培訓(xùn)課程

集成電路培訓(xùn)中心ICTC將邀請器件建模領(lǐng)域的權(quán)威伯特蘭Ardouin博士,托馬斯 瓦倫丁博士做專題邀請報(bào)告。

一,培訓(xùn)對象:

本課程屬于緊湊型建模Workshop,適合具有一定基礎(chǔ)的學(xué)員:半導(dǎo)體廠器件模型開發(fā)人員、模擬/混合信號(hào)/射頻設(shè)計(jì)人員、以及相關(guān)領(lǐng)域的研究人員和管理人員、集成電路專業(yè)研究生以及對器件模型感興趣的人。

二,時(shí)間及地點(diǎn):

(一)上課時(shí)間:2014年6月12日(周四);
(二)上課地點(diǎn):上海浦東新區(qū)張江浦東國際人才城(張衡路500弄1號(hào)樓)

三,其他事項(xiàng):

(一)報(bào)名:
1,報(bào)名時(shí)間:2014年4月15日至6月01日止;
2、報(bào)名方式:填寫報(bào)名表格(附后),于06月01日前將填好的報(bào)名表發(fā)送至聯(lián)系人郵箱(附后)

(二)費(fèi)用:

1,培訓(xùn)費(fèi)用:1200 三仙教授培訓(xùn)的學(xué)員如報(bào)名,則可享受九折優(yōu)惠。
2、培訓(xùn)食宿:學(xué)員午餐由會(huì)務(wù)組統(tǒng)一安排,往返交通及住宿費(fèi)用自理(需要住宿的學(xué)員可提前預(yù)定國際人才城酒店(協(xié)議價(jià)398元/天)??或附近上海張江置業(yè)賓館(協(xié)議價(jià)200元/天),需要預(yù)定的學(xué)員請盡早通過會(huì)務(wù)預(yù)定)。
3,相關(guān)費(fèi)用請匯入會(huì)務(wù)組賬號(hào)(或根據(jù)報(bào)名回執(zhí)現(xiàn)場交付)。

收款單位:上海林恩信息咨詢有限公司
開戶行:上海銀行曹楊支行
賬號(hào):316586 03000624127
(匯入賬戶的學(xué)員,請將匯款底單傳真至021-3327 5892或者掃描郵件至?xí)?wù)組郵箱史蒂芬。yu@lynneconsulting.com)

(三)聯(lián)系方式:

聯(lián)系人:溫麗琴,余小陽(林恩咨詢,021-5109 6090,18964912340);
聯(lián)系郵箱:溫麗琴(service@ictc.org.cn);余小陽(steven.yu@lynneconsulting.com)

四,課程內(nèi)容:                 

本課程屬于器件模型設(shè)計(jì)高級(jí)課程,適合具有一定基礎(chǔ)的學(xué)員:偏重器件模型設(shè)計(jì)中的實(shí)際問題,比如如何看待基于物理意義的模型和純擬合模型,特殊環(huán)境下的模型,以及如何判斷模型對于設(shè)計(jì)的好壞。特別討論了當(dāng)前比較關(guān)心的模型,比如ELECTRO-THERMAL,RELIABILITY等問題。另外,高頻下的測量和目前比較熱門的RF-SOI模型也作了闡述。最后,對將來熱門的新材料也做了展望,也同時(shí)對目前的模型參與者提出了有趣的研究方向。課程具體內(nèi)容包括:

1,引言緊湊造型及具體型號(hào)(Ardouin博士)
一,物理基礎(chǔ)建模的優(yōu)勢在純擬合模型
B,統(tǒng)計(jì)建模方法
C,EDA工具,環(huán)境和流程相關(guān)問題
D,具體的建模實(shí)例:高溫型號(hào),低溫型號(hào),射頻模式
E,Q / A的驗(yàn)證(線路電平)
2,什么有一個(gè)良好的模型是必要的?部分A / B(Ardouin博士)
一,測量
B,測量驗(yàn)證與確認(rèn)
C,機(jī)型小巧:一個(gè)簡要的回顧和歷史(BSIM3 / 4,EKV,PSP,HICUM,VBIC,安格洛夫)
D,測試芯片,測試結(jié)構(gòu):它的戰(zhàn)略直流和射頻?
E,提取工具:它的戰(zhàn)略模型?(環(huán)球接頭,分級(jí),當(dāng)?shù)靥崛?,精度?biāo)準(zhǔn)等)
女,什么是對設(shè)計(jì)的影響?有沒有一個(gè)“適合所有型號(hào)”
3,PD SOI CMOS工藝的射頻/噪音緊湊的造型(瓦倫丁博士,受邀)
4,電熱先進(jìn)技術(shù)特性(齊默教授)
一,測量:低頻率的S參數(shù)測量,脈沖直流和交流測量
B,TCAD仿真
C,電熱緊湊型
D,應(yīng)用的SiGe-HBT
E,應(yīng)用到28nm CMOS
樓在電路級(jí)的影響
5,射頻測量方法達(dá)到100GHZ(Ardouin博士)
校準(zhǔn)和去嵌入技術(shù)的的S參數(shù)一,頻率限制
B,EM仿真
6,可靠性與緊湊的造型與注重生活時(shí)間預(yù)測(Ardouin博士)
一,重要性的可靠性感知模型
B,降解機(jī)制和老化模型的組合
C,晶體管緊湊模型
D,案例分析和可靠性感知電路
7,展望:“石墨烯電子:如何遠(yuǎn)離工業(yè)應(yīng)用”(齊默教授)

五,授課專家簡介:

伯特蘭Ardouin博士

伯特蘭Ardouin收到了碩士和博士學(xué)位 從theUniversityofBordeaux1 1998 Francein和2001年分別在電氣工程學(xué)位。他的研究活動(dòng)是硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管先進(jìn)的建模和表征。2002年,他一直XMOD技術(shù),他目前是基金經(jīng)理和研發(fā)總監(jiān)的聯(lián)合創(chuàng)始人之一。Ardouin博士是從2006-2012的IEEE-BCTM的CAD /建模小組委員會(huì)的成員。

公關(guān)。托馬斯·齊默

托馬斯·齊默收到碩士 從theUniversityofWürzburg,德國,于1989年物理學(xué)位和博士學(xué)位 從大學(xué)波爾多1,塔朗斯,法國,在1992年電子學(xué)士學(xué)位。從1989年到1990年,他與德國弗勞恩霍夫研究所,德國埃爾蘭根。自1992年以來,他與IMS研究所,法國Talence。自2003年以來,他在他UniversityBordeaux1教授。在IMS的實(shí)驗(yàn)室,他是研究小組的領(lǐng)導(dǎo)者“納米電子學(xué)。”他的研究興趣主要集中在高頻設(shè)備,如HBT(鍺,磷化銦),石墨烯納米管和GFETs電氣緊湊建模和表征。他是高級(jí)會(huì)員IEEE和擔(dān)任評論員的許多期刊(IEEE ED,EDL,上證所...),并參加了幾次會(huì)議的程序委員會(huì)(BCTM,ESSDERC ...)。他已發(fā)表150余同行評議的科學(xué)論文,1本書,促成了8書的章節(jié)。

拉斐爾瓦倫丁博士(特邀)

他獲得了博士學(xué)位 從theInstituteofElectronics學(xué)位微納米技術(shù),微電子和納米技術(shù)(IEMN),阿斯克新城,法國,在2008年,他的博士 度的研究是在納米級(jí)金屬源/漏全耗盡SOI專用于高頻應(yīng)用晶體管的器件仿真/建模和測量。他工作作為博士后CEA LETI在ST微電子在建模組。有關(guān)他的主要研究興趣先進(jìn)的無線電頻率(高達(dá)100千兆赫)的專用于高速/低功耗通信SOI CMOS器件建模緊湊。他目前正在為蒙太奇技術(shù),公司,負(fù)責(zé)設(shè)備和建模活動(dòng)。

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