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第18屆全國化合物半導體材料、微波器件和光電器件學術會議征文通知

2016-03-31 來源:微波射頻網(wǎng) 我要評論(0) 字號:
主題活動: 微波器件
主辦單位: 中國電子學會半導體與集成技術分會、電子材料分會
舉辦時間: 投稿截止日期: 2016年7月15日
舉辦地址: 福建省廈門市
關注次數(shù): 0
報名網(wǎng)站: http://cs-cie2016.csp.escience.cn

活動介紹

由中國電子學會半導體與集成技術分會、電子材料分會主辦,中國科學院半導體研究所等單位承辦的“第十八屆全國化合物半導體材料、微波器件和光電器件學術會議”定于2016年10月下旬在福建省廈門市召開。這是每兩年舉行一次的全國性重大學術會議,將展示化合物半導體,特別是近年來迅猛發(fā)展的寬禁帶化合物半導體在材料生長、器件與電路設計、制造工藝及其應用等方面的最新進展,探討國內(nèi)外化合物半導體、微波器件和光電器件的研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。召開這次會議的目的是為全國在本領域或有意在本領域從事研發(fā)、教學、生產(chǎn)、投資的科技人員和管理人員提供一個學術與技術交流的平臺,以促進我國本領域的科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。我們熱忱歡迎本領域廣大專家學者和科技人員以及相關設備、儀器制造領域的研發(fā)人員和相關企業(yè)界人士踴躍投稿、參會、參展。

主辦單位:中國電子學會半導體與集成技術分會、電子材料分會

承辦單位:中國科學院半導體研究所、中國電科55所、中國科學院微電子研究所、中國電科13所專用集成電路國家級重點實驗室、廈門大學

會議時間:2016年10月下旬

會議地點:廈門市

重要的時間點:

1. 第二輪通知日期: 2016年6月底
2. 投稿截止日期: 2016年7月15日
3. 論文接收通知日期:2016年9月上旬

一、征文內(nèi)容:

1. GaAs、InP等化合物半導體材料、微波器件及光電器件;
2. 寬禁帶化合物半導體(GaN、SiC、ZnO和金剛石等)材料的制備、性質(zhì)及器件應用;
3. 硅基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料(如GeSi/Si、GaN/Si等)制備、器件及其光電集成技術;
4. 納米(低維)半導體材料、性質(zhì)及量子器件;
5. 磁性半導體材料的制備、性質(zhì)及器件應用;
6. 化合物半導體微波器件和微波集成電路的設計、制造與測試;
7. 化合物半導體光電器件和光電集成電路的設計、制造與測試;
8. 化合物半導體微波器件及光電器件制造的其它相關技術,如耦合、封裝等;
9. 化合物半導體微波器件和光電器件的可靠性與失效分析;
10. 化合物半導體微波器件和光電器件及系統(tǒng)的應用;
11. 新型化合物半導體材料制備、性質(zhì)及器件應用;
12. 化合物半導體材料的微結(jié)構(gòu)、表面、界面行為以及生長動力學研究;
13. 化合物半導體和薄膜材料的先進生長設備和測試分析儀器的研制;
14. 化合物半導體材料制備和器件研制相關的基礎材料(如金屬有機源、高純金屬源、高純工藝氣體等);
15. 化合物半導體和薄膜材料的表征和測試分析技術;
16. 半導體白光照明材料、器件及應用技術;
17. 其它(如稀土、有機半導體等)半導體材料、性質(zhì)及器件應用;
18. 化合物半導體敏感材料、制備、表征及應用;
19. 化合物半導體微、納電子及光電子器件制造、表征及應用;
20. 半導體光電轉(zhuǎn)換材料與器件應用;
21. 集成電路設計;
22. 電介質(zhì)物理與器件;
23. 其它化合物半導體相關領域最新進展等。

二、投稿分類:

根據(jù)以上征文內(nèi)容,將參會者的稿件擬分為以下四大類。

1. 材料生長及表征(Material Growth and Characterization),類別代碼:MGC
2. 高頻、高功率電子器件 (Electron Devices), 類別代碼:ED
3. 發(fā)光器件及光電探測器件(Optoelectronic Devices, 類別代碼:OED
4. 設備、系統(tǒng)及應用(Equipment,System and Applications, 類別代碼:ESA

投稿時,請參會者務必在文章的首頁及Email的標題中提供文章類別代碼 (在會議提供的文章模版里將有代碼位置輸入提示),以便會務人員安排專家審稿。以上分類方式可能會由于屆時參會人員的分布相對變化而作相應調(diào)整。

三、論文要求:

1. 論文要力求反映國內(nèi)外最新研究方向和成果,要主題突出,內(nèi)容層次分明,數(shù)據(jù)準確,論述嚴謹,結(jié)論明確,采用法定計量單位,且尚未在國內(nèi)外公開刊物或其它學術會議上發(fā)表過。

2. 本次會議征集到的優(yōu)秀稿件將推薦到《半導體學報》發(fā)表。會議將評選出10篇左右的優(yōu)秀論文,由中國電子學會半導體與集成技術分會頒發(fā)優(yōu)秀論文證書,并給予獎勵。

3. 論文一律采用 A4紙排版,具體格式為:題目用3號黑體字,作者用4號字,單位、郵編、電子信箱、摘要、關鍵詞等用6號字,正文用5號字,正文行距為單倍行距。字體除題目外統(tǒng)一用宋體,版芯尺寸為140 mm×215 mm,包括圖表在內(nèi)每篇論文不超過4頁。論文格式模版見附件1。

四、論文的提交:

請參會者提供電子版論文PDF和WORD (要求可編輯)兩種格式的文檔。文件名稱格式如下:類別代碼加作者姓名,例如,MGC-姜麗娟。請將以上兩種格式的文件同時發(fā)送到以下(見聯(lián)系人)兩個電子郵箱。并在Email正文中提供以下信息,以便減少會務組工作失誤并減輕會務組織人員的統(tǒng)計工作量。

a) 文章類別代碼[共4類];b)文章題目;c)作者姓名;d)工作單位;e)Email地址;f)電話

請自留底稿,不論錄用與否原稿一律不退。

五、聯(lián)系人:姜麗娟,王琨,王曉亮

電話:010-82304140
手機:13810828717
Email:ljjiang@semi.ac.cn kwang@semi.ac.cn

六、參會回執(zhí)

為了更好的開展籌備工作,請參會人員配合我們填寫參會回執(zhí)(附件2),在2016年7月15日前寄至會議籌備組。大會籌備組熱忱歡迎您的到來;同時也真誠希望得到您的大力支持與幫助。

第十八屆全國化合物半導體材料、微波器件和光電器件學術會議組委會

2016年3月25日

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