[據(jù)軍事航空電子網(wǎng)站2012年11月30日?qǐng)?bào)道]美國國防威脅減除局（DTRA）11月28日發(fā)布了一份信息征詢書（NTS139926578），尋求先進(jìn)抗輻射高頻模擬和射頻半導(dǎo)體技術(shù)，以支持“先進(jìn)高頻模擬和射頻半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)與加固”項(xiàng)目。

DTRA將向行業(yè)尋求輻射測(cè)試、建模和模擬技術(shù)，以評(píng)估單粒子效應(yīng)（SEE）和總劑量效應(yīng)（TID）的輻射環(huán)境下高頻半導(dǎo)體的模擬和射頻性能。

DTRA也關(guān)注90納米以下半導(dǎo)體的抗輻射建模、仿真和抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)，設(shè)備類型包括硅鍺雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（BiCMOS）和硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關(guān)注的其他設(shè)備類型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaAn HFET）功率半導(dǎo)體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當(dāng)前和未來軍事系統(tǒng)，如衛(wèi)星和導(dǎo)彈。
（工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報(bào)研究所陳皓）