近日，美國導彈防御局（MDA）授予美國雷聲公司一份合同，研究砷化鎵（GaAs）向氮化鎵（GaN）轉換工藝，以將GaN器件用于目前和未來AN/TPY-2雷達。將GaAs產品轉換成GaN產品將使彈道導彈防御雷達進一步現代化，減緩系統過時報廢。通過該合同，雷聲公司將重新裝備位于馬薩諸塞州的GaAs單片微波集成電路（MMIC）制造工廠，為AN/TPY-2雷達制造GaN產品。
雷聲公司AN/TPY-2雷達
GaN的優勢
雷聲公司綜合防御系統任務系統和傳感器業務副總裁Dave Gulla表示，“與GaAs 相比，GaN器件具有顯著的、成熟的優勢。通過該項目，雷聲將研發清晰的AN/TPY-2雷達現代化升級方法，使該系統能夠更好的保護國內外人們和關鍵設施不受彈道導彈威脅。”
雷神公司氮化鎵（GaN）生產制造車間
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雷聲公司導彈防御部門主管Jim Bedingfield表示，“采用能效更高的GaN替代傳統GaAs，能夠提升現有雷達監測范圍至50%，提高不同目標的分辨率，或監測物的體積降低1/5。”
雷聲公司在研發氮化鎵上已有十五年經驗
雷聲公司開發的其他軍用雷達已證明，GaN能夠提高雷達探測范圍，增強探測和辨別能力，降低生產成本。
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