移動(dòng)芯片大廠高通（Qualcomm）最新發(fā)布CMOS PA（Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Power Amplifer互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體功率放大器），挾CMOS材料低成本優(yōu)勢(shì)侵蝕PA市場(chǎng)，使得砷化鎵族群昨股價(jià)盤中大跌逾3%；不過，砷化鎵業(yè)者認(rèn)為，高通新產(chǎn)品的功率及效能還不清楚，未來對(duì)砷化鎵在PA領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)是否會(huì)造成影響還有待觀察。

高通指出，將在今年下半年推出以CMOS制程生產(chǎn)的PA，支持LTE-FDD、LTE-TDD、WCDMA、EV-DO、CDMA 1x、TD-SCDMA與GSM/EDGE等7種模式，頻譜將涵蓋全球使用中的逾40個(gè)頻段，以多頻、多模優(yōu)勢(shì)宣布進(jìn)軍行動(dòng)PA產(chǎn)業(yè)。

穩(wěn)懋：今年是關(guān)鍵年

穩(wěn)懋總經(jīng)理王郁琦日前針對(duì)產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)變化強(qiáng)調(diào)，今年是砷化鎵產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵的1年，主要是通訊市場(chǎng)由3G升至4G，需要更高頻寬及速度，砷化鎵芯片在傳輸速度上高于矽芯片5倍以上，最適合發(fā)展。

業(yè)者認(rèn)為，單就砷化鎵的物理性質(zhì)來說，砷化鎵的高飽和電子速率及高電子移動(dòng)率，在高頻PA領(lǐng)域的需求是CMOS等矽材料無法跟上的，加上若以電子移動(dòng)速率分析，砷化鎵材料的物理表現(xiàn)是矽材料的5倍，而這項(xiàng)物理性質(zhì)對(duì)于需高頻、高功率運(yùn)作的智能手機(jī)而言，是相當(dāng)關(guān)鍵的特質(zhì)。