根據來自MarketsandMarkets名為“氮化鎵（GaN）功率器件市場——2022全球預測”的報告，全球的GaN功率器件的市場將以24.5%的復合年增長率（CAGR）從2016年增長至2022年的2.6億美元。

因為新型氮化鎵功率半導體器件在衛星通訊、雷達和無線應用領域的投放使用以及提高功率處理能力和增加開關頻率技術的持續發展，衛星通訊、雷達和無線應用三個領域表現出快速增長。

新技術的出現驅動增長

硅上氮化鎵技術（沉積在高摻雜的硅襯底上的氮化鎵）的出現促進了高亮度和超高亮度LED的發展。在過去的十年里，一些其他的技術促進了熒光粉轉換型LED的發展，導致了藍光、藍紫光、紫光、紫外光以及白光LED的產生。該領域最新的進展是使用量子點技術。報告認為，對氮化鎵器件市場而言，最大的優勢和驅動力在于要克服每個階段所面臨的挑戰帶來的新技術的持續出現和年產量的持續增加。

信息通訊技術和消費電子領域貢獻了更多的市場份額

氮化鎵器件的技術發展正在加速應用于信息通訊技術終端領域（包括射頻，衛星和電信），主要是因為對不同類型的射頻和無線應用需求的增長以及廣泛的行業關注度。

對于氮化鎵光基半導體器件帶來的巨大效益而言，消費電子是主要貢獻收入的終端用戶部分之一。隨著氮化鎵功率半導體器件逐漸涉及到不同的消費電子領域，收益的增長也逐漸增加。

日本主導的氮化鎵晶片市場

預計從2016年到2022年，日本將占有最大的市場份額并主導氮化鎵晶片市場。日本市場被氮化鎵領域應用的增加和半導體行業持續的發展所驅動。就關鍵競爭者的分布而言，日本在所有的地區排第二位，一些競爭者都將總部設在日本。

在氮化鎵功率器件市場中，日本的的主要競爭者包括瑞薩電子，羅姆半導體有限公司，日亞公司，東芝公司以及豐田合成有限公司。

在氮化鎵功率器件市場領域的其他主流競爭者為富士通（日本）、皇家飛利浦N.V.（荷蘭）、德州儀器（美國）EpiGaN NV（比利時）、NTT先進科技公司（日本）、射頻微設備公司（美國）、Cree公司（美國）、愛思強（德國）、IQE plc (英國)以及三菱化工（日本）。

（工業和信息化部電子科學技術情報研究所 唐旖濃）