過去的幾年里，射頻氮化鎵（GaN）市場經歷了令人印象深刻的增長，并重塑了射頻功率放大器行業(yè)的格局。

近日，Yole Développement在一篇名為“RF氮化鎵市場：應用前景，玩家，技術及襯底2018-2023”的報告中，宣稱：“截至2017年底，整個GaN市場的規(guī)模已經接近380億美元。”分析師表示，GaN技術已經滲透到各個射頻市場，尤其是電信和國防應用市場，過去的兩年更是堪稱突破：這兩個市場的年復合增長率超過20％。這只是一個開始。事實上，Yole表示，預計在2019-2020年前后部署實施的5G網絡，將推動整個GaN市場到2023年底，實現總規(guī)模增長3.4倍，2017-2023年復合增長率為22.9%！

在Yole的市場報告中，描述了GaN在不同細分市場的發(fā)展情況，包括無線基礎設施，國防和航空航天，衛(wèi)星通信，有線寬帶，有線電視（CATV）同軸電纜和光纖到戶及其他工業(yè)，以及ISM應用。報告提供了一個相對完整的分析，涵蓋了RF GaN的GaN主要玩家：Sumitomo Electric，Wolfspeed，Qorvo。

2017年無疑是一個美好的一年。整個工業(yè)界認識到，射頻氮化鎵技術正在逐步成為射頻行業(yè)的主流技術。其中，整合元件制造商公司（IDM）主要是：Sumitomo，Qorvo和Cree，他們在這個行業(yè)中處于關鍵位置。但隨著更多代工廠的參與，未來的市場格局也會有所不同。

Yole Développement預測：5G電信市場和國防市場作為GaN行業(yè)的主要收入來源。隨著5G網絡發(fā)展步伐的加快，電信市場將從2018年開始為GaN器件帶來巨大的機遇。與現有的硅LDMOS和GaAs解決方案相比，GaN器件能夠提供下一代移動通信網絡所需的具有較高功率/效率水平的功率放大器。而且，GaN的寬帶能力是實現許多重要新技術（如多頻帶載波聚合）的關鍵因素之一。GaN HEMT已經成為未來宏基站功率放大器的主流候選技術。

Mitsubishi Electric Ka波段GaN HEMT功放

對于6Ghz附近的宏蜂窩單元將普遍使用GaN器件，因為LDMOS不能工作在如此高的頻率下，而GaAs對于高功率應用來說并不是最佳的工藝選擇。但是，由于小基站（微基站）不需要很高的功率，現有GaAs技術仍然具有優(yōu)勢。

國防市場是過去若干年來GaN發(fā)展的主要動力。源自美國國防部所采購的GaN器件已經在新一代天線和地面雷達中得到廣泛使用。GaN的高功率能力提高了檢測范圍和分辨率，設計人員也越來越熟悉這項新技術。不過，涉及軍事領域的技術都是非常敏感的。在兼并和收購方面尤其如此。如果企業(yè)以軍事應用為目標市場，政府可以阻止交易的發(fā)生，例如Aixtron被FGC投資基金收購，或者由英飛凌-Wolfspeed收購的失敗。

還需要指出的是，GaN器件的價格還是比較高的。據Yole分析師的說法，不久的將來，越來越多的廠商參與該市場，出貨量的增加和價格的下降將同步發(fā)生。未來幾年，GaN產業(yè)將會穩(wěn)步增長。現有的市場領導者無疑會增加他們的收入，但可能并不會增加他們的市場份額！

讓我們靜觀其變。