北卡羅來納州格林斯伯勒，2012 年4月26日 -- 高性能射頻組件及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代號：RFMD）宣布，擴展其 RFMD 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先的氮化鎵工藝技術(shù)，以將其列入功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中專為高壓功率器件而優(yōu)化的新技術(shù)。

 

RFMD 推出的最新氮化鎵工藝技術(shù) – rGaN-HV-- 可在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用（范圍從1 至 50 KW）中大幅度降低系統(tǒng)成本和能量消耗。RFMD的 rGaN-HV 技術(shù)可傳送高達900 伏特的擊穿電壓，具有高峰值電流性能，并可在氮化鎵電源開關(guān)和二極管之間進行超快速切換。這項新技術(shù)可補充 RFMD 的 GaN1工藝和GaN2 工藝，其中GaN1工藝是為高功率射頻應(yīng)用而優(yōu)化的，并傳送超過 400 伏特的高擊穿電壓； GaN2 工藝是專為高線性度應(yīng)用而設(shè)計的，并傳送超過 300 伏特的高擊穿電壓。RFMD 將會在北卡羅來納州格林斯伯勒的晶圓廠 (fab) 為客戶制造分立式功率器件，并為代工客戶提供 rGaN-HV 技術(shù)以使其能定制功率器件解決方案。

 

RFMD 總裁兼首席執(zhí)行官 Bob Bruggeworth 表示：“全球?qū)νㄟ^提高功率轉(zhuǎn)換效率來節(jié)約能源的需求為基于 RFMD 氮化鎵功率工藝技術(shù)的高性能功率器件創(chuàng)造了極大的機會。我們期望我們推出的最新氮化鎵功率工藝將會擴大我們在高電壓功率半導(dǎo)體市場中的機會，而且，我們很高興能夠為外部的代工客戶提供 rGaN-HV 技術(shù)，支持他們在高性能功率器件市場上獲得成功?！?/DIV>