日前，中科院上海微系統與信息技術研究所物聯網系統技術實驗室采用65nm標準Si CMOS工藝，單芯片產生了100GHz以上毫米波信號，經法國國家實驗室IEMN(Institute of Electronics, Microelectronics and Nano-electronics)測試，中心頻率達到150GHz。

隨著CMOS器件工藝線線寬的進一步縮小，CMOS器件的截止頻率已達到數百GHz甚至逼近1THz，加上Si基CMOS集成工藝固有的高集成度、低成本、低功耗及與基帶模塊工藝相兼容等特點，采用標準Si CMOS工藝設計和實現低成本、高復雜度的單芯片毫米波集成系統已成為國際上的研究熱點。與國外今年6月發表的由TI、NXP等研究機構完成的220GHz Si CMOS單芯片收發系統相比，目前國內只有少數幾個研究機構從事相關的研究，已經發表的結果還不多。

單芯片毫米波系統具有很高的空間分辨率和大帶寬短距離無線通信能力，同時具備獨特的生物效應。因此，可以預見，單芯片毫米波技術將會在無線傳感網領域以及醫療電子領域特別是MBAN及目標探測方面具有廣闊的應用前景，是物聯網技術進一步發展的核心技術之一。上海微系統所田彤研究員及其研究組在五室各方面的支持下，正以此結果為起點，開展全面的Si CMOS技術低成本、高集成度單芯片毫米波集成系統及相關應用技術研究，可望在便攜式醫療電子設備、人體參數傳感器、MBAN、車聯網、運動探測技術、3D無線成像技術及小目標探測技術方面取得廣泛應用。

測試圖片