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砷化銦可替代硅制造未來電子設(shè)備
美國物理學(xué)家組織網(wǎng)11月23日報道,美國能源部勞倫斯伯克利國家實驗室和加州大學(xué)伯克利分校的科學(xué)家成功地將厚度僅為10納米的超薄半導(dǎo)體...
發(fā)布時間:2010-12-27關(guān)鍵詞:砷化銦