降頻變頻器與頻率合成器二合一芯片憑借意法半導體的制程技術優(yōu)勢，
為設備廠商帶來低成本且兼具高性能及靈活性的射頻解決方案

中國，2011年5月6日橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體制造商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出新款高集成度移動通信基站芯片。全新STW82100B系列讓移動基礎設施設備制造商能夠以更低的成本滿足市場對更靈活且緊湊的下一代移動網(wǎng)絡基站的需求。除無線基站外，新產(chǎn)品還能用于其它設備，包括射頻（RF）儀器和一般無線基礎設施應用。

在移動通信產(chǎn)業(yè)內(nèi)，消費者對寬帶網(wǎng)絡服務的需求正在高速增長。移動網(wǎng)絡運營商正在加快腳步推出具備更快數(shù)據(jù)速率（14.4Mbit/s或更高，HSPA/HSPA+）的網(wǎng)絡服務。市場對具備更高速度的下一代無線通信標準3GPP-LTE的投資也持續(xù)增長。市調(diào)機構InfoneticsResearch的最新報告顯示，截至2014年底，LTE（長期演進技術）基礎設施的市場規(guī)模將超過110億美元。

意法半導體的全新STW82100B系列符合設備廠商的高性能和低成本的要求，單片整合了射頻合成器與降頻轉(zhuǎn)換器等重要的移動通信基站功能。經(jīng)市場驗證，這款IC適用于新的移動通信標準，如LTE（長期演進技術）。采用意法半導體的高質(zhì)量BiCMOS制程，新IC還能滿足移動通信基站廠商全部的重要性能需求。意法半導體這款以先進制程制造的芯片已被主要基站廠商廣泛采用。

意法半導體網(wǎng)絡和存儲產(chǎn)品部市場總監(jiān)FlavioBenetti表示：“STW82100B系列產(chǎn)品不但證明了利用硅鍺(SiGe)芯片可有效解決射頻應用問題，并再次顯示意法半導體獨有的BiCMOS技術的無限潛力。意法半導體采用BiCMOS制程的產(chǎn)品已成功打入各個通信領域，例如為光纖通信應用提供速度高達230GHzFT/ 280GHz FMAX的高速晶體管。”

STW82100B系列（STW82100B,STW82101B,STW82102B及STW82103B）以意法半導體經(jīng)過市場驗證并被全球基站及其它無線應用廣泛采用的射頻合成器IC（STW81102系列）為基礎。可支持不同的工作模式，為設計人員帶來很高的靈活性。在接收器端，該芯片可為每個天線通道提供一個專用的本振（LO）頻率發(fā)生器，或可用于更加傳統(tǒng)的天線分集系統(tǒng)。在發(fā)送器環(huán)回電路內(nèi)，其優(yōu)異的增益平坦度和內(nèi)置的10位數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）讓設計人員在驅(qū)動外部PIN二極管時可實現(xiàn)最佳的信號校準。

STW82100B的主要特性：

· 高輸入線性
· 8dB轉(zhuǎn)換增益
· 10.5dB噪聲系數(shù)
· 有效避免干擾及假性信號

STW82100B現(xiàn)已量產(chǎn)，采用7x7mmVQFPN 封裝，意法半導體近期將推出應用評估套件。