國際整流器公司（IR，NYSE: IRF）推出兩款高性能R8抗輻射功率場效應晶體管（MOSFET），優選后用于宇航級負載點（POL）穩壓器。新型R8的開發將為航天系統設計提供小尺寸、輕量級和高效率產品。

新型R8邏輯級功率MOSFET利用溝道技術提供極低的導通電阻(RDS（on）),其典型值為12mΩ，全部柵極電荷(QG)的典型值為18nC，與已有方案相比，有效性能提高6%。IR HLNM87Y20SCS型器件擊穿電壓BVdss額定值20V，最大漏極電流（Id）額定值17A。新器件采用IR SMD 0.2新型表面貼裝型封裝，與現有SMD 0.5封裝方案相比，節省空間50%。在微電路設計方案中，還可提供TO-39型封裝形式或裸片形式。

IR公司的新產品具有電離總劑量（TID）300K拉德抗輻射特性，單粒子效應（SEE）的單粒子翻轉（LET）閾值為81MeV-cm2/mg，Vgs額定值為12V。根據預期的設計軌道和輻射環境，R8 抗輻射MOSFET可以滿足使用壽命15年或更長的任務要求。

供貨與價格

R8 MOSFET價格為每250個594美元。產品訂單立刻生效，價格會有變更。產品遵循美國出口管制法律法規。