RFMD宣布推出全球首款6英寸用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）晶圓，以滿足軍用和商用需求。RFMD實現了從現有高產量、6英寸砷化鎵（GaAs）晶圓生產向6英寸氮化鎵晶圓生產和研發的轉變，以降低平臺成本從而滿足不斷增長的氮化鎵器件市場需求。

“我們很高興在RFMD現有高產量6英寸砷化鎵生產線上推出業界首款6英寸碳化硅基氮化鎵射頻技術。”RFMD公司總裁兼CEO Bob Bruggeworth表示，“氮化鎵器件和砷化鎵器件在制造上的合并是我們“砷化鎵中氮化鎵代工廠”（GaN-in-GaAs Fab）策略的一部分，通過制造創新型氮化鎵基產品使現存代工廠更好地抓住增長機會。”

據行業分析公司Strategy Analytics的數據顯示，2017年氮化鎵微電子市場將是現在的三倍，達到3.34億美元，復合年增長率（CAGR）達28%。該市場增長由軍用（雷達、電子戰、通信）和商用（電源管理、蜂窩通信、有限電視、移動式無線電通信）共同推動。

“利用我們在6英寸砷化鎵制造技術的領先地位和高產量的專業知識，RFMD公司有能力增加6英寸氮化鎵的性能，來推出新的射頻功率產品，以此加速我們在通信、有線電視、能量轉換、雷達、干擾、宇航和代工業務中的利潤增長。”RFMD公司功率寬帶部副總裁Jeff Shealy博士表示。

氮化鎵技術可在小面積內支持寬頻帶和高擊穿電壓。6英寸氮化鎵晶圓所能提供的有效面積是目前4英寸氮化鎵晶圓的2.5倍，因此每個晶圓所產出的射頻功率器件數也增加2.5倍。晶圓面積越大，隨之每個單位面積的成本越低，是為軍用和商用提供廉價、高性能單片毫米波集成電路（MMIC）的關鍵。

RFMD預計在2014年將完成對6英寸氮化鎵平臺的驗證。