近日，德州儀器(TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻MOSFET。該最新系列FemtoFET™ MOSFET 晶體管采用超小型封裝，支持不足100 毫歐的導(dǎo)通電阻。

三個(gè)N 通道及三個(gè)P 通道FemtoFET MOSFET 均采用平面柵格陣列(LGA) 封裝，與芯片級(jí)封裝(CSP) 相比，其可將板積空間銳減40%。CSD17381F4 與CSD25481F4 支持不足100 毫歐的導(dǎo)通電阻，比目前市場(chǎng)上類似器件低70%。所有FemtoFET MOSFET 均提供超過4000V 的人體模型(HVM) 靜電放電(ESD) 保護(hù)。

FemtoFET MOSFET 歸屬TI NexFET 功率MOSFET 產(chǎn)品系列，該系列還包括適用于手機(jī)等便攜式應(yīng)用的CSD25213W10 P 通道器件以及CSD13303W1015 N 通道器件等。TI 提供LP5907 大電流低壓降(LDO) 線性穩(wěn)壓器以及TPS65090 前端電源管理單元(PMU) 等各種系列的電源管理產(chǎn)品，可為手持應(yīng)用節(jié)省板級(jí)空間，降低功耗。

FemtoFET MOSFET 系列的主要特性與優(yōu)勢(shì)

• 不足100 毫歐的導(dǎo)通電阻比類似器件低70%，可節(jié)省電源，延長電池使用壽命；
• emtoFET 0.6 毫米× 1.0 毫米× 0.35 毫米的LGA 封裝比標(biāo)準(zhǔn)CSP 小40%；
• 1.5A 至3.1A 的持續(xù)漏極電流值與當(dāng)前市場(chǎng)類似尺寸器件相比，可提供超過2 倍的性能。

供貨情況

FemtoFET MOSFET 器件現(xiàn)已開始批量供貨，可通過TI 及其授權(quán)分銷商進(jìn)行訂購。