Peregrine Semiconductor（派更半導(dǎo)體公司）近日展示兩款采用UltraCMOS®技術(shù)且適用于Doherty放大器的單片相位和振幅控制器（MPAC）——PE46130和PE46140。這兩款產(chǎn)品與PE46120均可為Doherty功率放大器提供最大的相位調(diào)諧靈活性。PE46120、PE46130 和PE46140這三款引腳兼容產(chǎn)品均適用于頻率在1.8-3.8 GHz這一范圍內(nèi)的Doherty功率放大器。

派更半導(dǎo)體市場總監(jiān)Kinana Hussain表示：“相位和振幅控制對未來通信技術(shù)的發(fā)展至關(guān)重要，從LTE和5G技術(shù)到雷達(dá)技術(shù)，它們均依賴有效的數(shù)據(jù)交換。派更半導(dǎo)體的MPAC將支持通信技術(shù)未來的發(fā)展。派更半導(dǎo)體今天新推出了兩款集成型產(chǎn)品，這僅僅是一個開始。公司即將推出的MPAC系列產(chǎn)品將支持波束形成、全雙工無線通信以及5G應(yīng)用等多種功能。此外，整個MPAC產(chǎn)品組合將繼續(xù)展現(xiàn)派更半導(dǎo)體UltraCMOS技術(shù)的智能集成能力。”

由于PE46130和PE46140是基于UltraCMOS技術(shù)而開發(fā)，它們具備的智能集成優(yōu)勢（如穩(wěn)定性好、靈活性高、支持小型封裝、可配置性強(qiáng)、系統(tǒng)性能更高等）是砷化鎵（GaA）解決方案無法比擬的。每款MPAC均無需使用分離元器件，集成了一個90度射頻分離器、多個5位數(shù)字式移相器、一個4位數(shù)字式步進(jìn)衰減器以及一個數(shù)字式串行外設(shè)接口。

PE46130和PE46140是用于優(yōu)化基于氮化鎵的Doherty功率放大器的理想之選，Doherty功率放大器通常在較高頻率下工作。低頻Doherty功率放大器通常基于橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）技術(shù)研制而成，因為在頻率低于2.0GHz時LDMOS具有效率和成本優(yōu)勢。然而，在較高頻率下，這一效率優(yōu)勢不復(fù)存在，而基于氮化鎵的Doherty功率放大器不僅性能較為穩(wěn)定，而且還能滿足大功率密度需求。采用了UltraCMOS技術(shù)的PE46130適用于2.3-2.7GHz這一頻率范圍，而PE46140則適用于3.4-3.8 GHz這一頻率范圍。

雖然在Doherty放大器的架構(gòu)下各組件的成本較高，但PE46130和PE46140可使用高效氮化鎵晶體管，以提高組件的總體效益，進(jìn)而降低材料成本。此外，這些控制器可通過改善匹配度和提高數(shù)字預(yù)失真回路效率來增強(qiáng)功率附加效率、整個頻率范圍內(nèi)的線性度以及Doherty帶寬。這兩款產(chǎn)品能夠提供最大的相位調(diào)諧靈活性，促使收發(fā)器路徑之間的統(tǒng)一性和重復(fù)性，同時能夠提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。單片控制器可通過滿足不同現(xiàn)場需求的數(shù)字接口進(jìn)行遠(yuǎn)程編程。得益于這樣的靈活性，工程師可基于運營和環(huán)境因素對相位和振幅進(jìn)行實時調(diào)整。

特性、封裝、定價及供貨

除了支持不同的蜂窩頻段外，PE46130和PE46140的特性和性能優(yōu)勢都十分相似。這兩款產(chǎn)品的相位范圍為87.2°（步長：2.8°）、衰減范圍為7.5 dB（步長：0.5 dB）。PE46130和PE46140可提供高于60dBm IIP3的高線性度，功耗僅為0.35mA。特別要指出的是，各控制器能夠提供35dBm（P0.1dB）的高功率處理能力以及30dB的較高端到端隔離度。UltraCMOS技術(shù)可確保控制器在所有射頻引腳上能承受至少1kV的靜電放電，運營溫度范圍擴(kuò)大至+105°C，電源范圍達(dá)到2.3V-5.5V。這些控制器產(chǎn)品均符合《電子電氣設(shè)備中限制使用某些有害物質(zhì)指令》的相關(guān)要求，并采用32引引腳、6×6 mm QFN封裝方式。

PE46130和PE46140樣本和評估工具包現(xiàn)已發(fā)布，PE46130現(xiàn)已開始批量生產(chǎn)。對于PE46130，1000件批量購買價格9.37美元/個，5000件批量購買價格為7.60美元/個，10000件批量購買價格為7.03美元/個。對于PE46140，1000件批量購買價格為10.31美元/個，5000件批量購買價格為8.36美元/個，10000件批量購買價格為7.73美元/個。

關(guān)于派更半導(dǎo)體

派更半導(dǎo)體公司隸屬于日本村田制作所，是射頻絕緣硅（RF SOI）技術(shù)的創(chuàng)始者和領(lǐng)先的高性能集成射頻解決方案供應(yīng)商。自1988年以來，派更半導(dǎo)體及其創(chuàng)始人團(tuán)隊一直不斷改進(jìn)UltraCMOS®技術(shù)（一種已獲得專利的高級絕緣硅技術(shù)），從而提供巨大的性能優(yōu)勢，以應(yīng)對射頻市場中面臨的最大挑戰(zhàn)（如線性度等）。派更半導(dǎo)體的產(chǎn)品能夠提供最佳性能以及實現(xiàn)單片集成，因此成為汽車、寬帶、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)、移動設(shè)備、智能手機(jī)、空間技術(shù)、測試和測量設(shè)備以及無線基礎(chǔ)設(shè)施等各行業(yè)中多家領(lǐng)先企業(yè)的首選。自2014年12月年成立至今，派更半導(dǎo)體已申請和待審批的專利已超過240項，已發(fā)售的UltraCMOS設(shè)備超過35億臺。