毫米波（30-300GHz）具有波長短，體積小、超寬帶、通信速率高等特性，在5G移動通信、安檢成像、汽車雷達，機場跑道異物檢測、氣象雷達、輻射計、天文探測等領域備受關注。Gotmic采用GaAs pHEMT工藝線，相對于CMOS等工藝，GaAs具有工藝成熟、輸出功率高、噪聲系數低等優勢。

1、V Band超短距離通信

60GHz處于大氣衰減的峰值，不利于傳輸，這是一把雙刃劍，同時帶來保密性強、對周邊干擾小、可實現短距離重復覆蓋等優勢。

圖1：V波段超短距離通信

gTSC0020，多功能Tx發射芯片，內部集成了IQ混頻器、6倍頻器、衰減器、驅動放大器和功率檢測功能。頻率覆蓋52-72GHz，IF范圍DC-12GHz，鏡像抑制25dB，增益22dB，動態范圍大于25dB，P1dB高達+20dB。

gRSC0016，多功能Rx接收芯片，內部集成了IQ混頻器，6倍頻器，衰減器和低噪聲放大器。頻率覆蓋52-72GHz，IF范圍DC-12GHz，噪聲系數低至4dB。

gAPZ0038，中等功率放大器，頻率52-72GHz，增益22dB，Psat=+22dBm。
gAPZ0039，功率放大器，頻率52-72GHz，增益19dB，飽和輸出+25dBm。
gANZ0031，高增益、高線性度、低駐波的低噪聲放大器，NF=3.5dB。

2、E Band毫米波通信

圖2：E波段通信方案

gTSC0023，多功能Tx發射芯片，集成混頻器、6倍頻、衰減器、驅動放大器和功率檢測功能。頻率71-86GHz，IF范圍：DC-12GHz，增益14dB，動態范圍20dB，鏡像抑制25dB，輸出功率大于+12dBm。

gRSC0012 和GRSC0013，多功能Rx接收芯片，集成低噪聲放大器、混頻器和6倍頻器等。頻率分別覆蓋71-76GHz、81-86GHz，IF范圍DC-12GHz噪聲系數小于6dB。

gAPZ0041，E1波段功率放大器，增益25dB，飽和輸出+27dBm；
gAPZ0051，采用預失真技術的E1波段功率放大器，增益20dB，飽和輸出+28dBm
gAPZ0042，E2波段功率放大器，增益20dB，飽和輸出+25dBm以上。
gAPZ0052，采用預失真技術的E2波段功率放大器，增益20dB，飽和輸出+28dBm

3、采用預失真技術的功率放大器

功率放大器一直是毫米波通信的難題。Gotmic依托跟瑞典查爾姆斯大學的緊密合作，研發了具有預失真功能的E波段功率放大器芯片，GAPZ0051和GAPZ0052。該功放采用平衡式結構，具有高線性度、高效率、高功率、低駐波、平坦度好等特性。

在放大器前端加入產生預失真的電路，與后級功放產生的非線性失真互相抵消，從而降低放大器整體的失真，提高線性度。

圖3：模擬預失真功放示意圖

圖4：E Radio系統測試模板要求（來自ETSI EN 302 217-2-2 V2.2.1）

從實際測試數據可以看到，在相同輸出功率的情況下，采用預失真技術可以顯著提高線性度，改善系統性能，或者說在同等線性度的情況下，可以提高系統的發射功率。

圖5：實測數據，64QAM@76GHz，Pout=+17dBm RMS

功放小結

4、表貼的SMD產品

傳統的毫米波chip芯片性能好，但需要金絲鍵合Bonding、對工藝要求高、一致性不好，不利于大批量生產。對于5G移動通信、超短距離通信等大批量應用場合，Gotmic推出了SMD表貼產品，體積大約14x10x4.5mm，從而大大簡化了組裝工藝、降低了成本。

圖6：SMD產品結構圖

產品包括:

·SMD多功能Tx、Rx產品，V/E波段；
·SMD功放PA產品，V/E波段；
·SMD多功能Tx+PA產品，即將多功能芯片和功放集成在一個SMD封裝內。

關于Gotmic

Gotmic總部在瑞典，作為業界知名的毫米波供應商，專注于40-170GHz的芯片設計，提供完整的V/E波段毫米波解決方案，既包括高集成度的多功能芯片，也提供分立的放大器、混頻器、倍頻等。

關于上海馥萊電子

上海馥萊電子是Gotmic中國區總代理，作為一家專業的射頻、微波毫米波產品供應商，致力于為客戶提供電子元器件及完整的技術服務。專業的技術團隊，行業資深的本土化團隊，能夠為客戶從方案設計、樣機生產調試、批量生產等各個階段提供持續完整的服務。

公司將于2017年4月11-13日參加IME2017北京分會（展位號：165），歡迎新老客戶蒞臨指導。