日前，由中科院微電子所牽頭，中科院半導(dǎo)體所、中科院物理所、中國電科13所、西安電子科技大學(xué)、北京大學(xué)聯(lián)合承擔(dān)，集中了國內(nèi)GaN研究領(lǐng)域的優(yōu)勢力量參與的重大項目“氮化鎵基毫米波器件和材料基礎(chǔ)與關(guān)鍵問題研究”通過了國家自然科學(xué)基金委員會信息科學(xué)部組織專家組的結(jié)題驗收。

驗收會上，項目首席科學(xué)家葉甜春研究員做了項目總體匯報，劉新宇研究員、蔡樹軍研究員、王曉亮研究員分別做了三個課題匯報。

報告指出，項目圍繞GaN基毫米波功率器件研制中涉及的核心科學(xué)和關(guān)鍵技術(shù)問題，在GaN基毫米波器件制備和材料生長中的關(guān)鍵科學(xué)問題、GaN基功率器件可靠性關(guān)鍵科學(xué)問題、GaN基毫米波功率器件與材料的新結(jié)構(gòu)三個方面進(jìn)行了深入和系統(tǒng)研究。微電子所承擔(dān)毫米波課題方面的研究任務(wù)，與合作單位緊密配合，突破了毫米波GaN功率器件關(guān)鍵工藝技術(shù)，建立了完整的GaN毫米波器件和電路工藝流程，實現(xiàn)了fT達(dá)到135GHz、fmax達(dá)到215GHz器件，Ka波段輸出功率密度6.65W/mm，達(dá)到了項目的預(yù)期目標(biāo)。

基金委專家組成員一致認(rèn)為，該項目全面完成了研究計劃內(nèi)容，項目研究組織有力，實施措施得當(dāng)，在人才培養(yǎng)、學(xué)術(shù)論文、專利申請方面成果豐碩，總體評價為優(yōu)。

該項目經(jīng)過四年的不懈努力，取得了一大批創(chuàng)新性的工作，在GaN 毫米波材料、GaN毫米波器件和電路、新型GaN功率器件、可靠性機(jī)理等方面取得了重要進(jìn)展，在GaN毫米波材料、器件物理、器件與電路、可靠性等方面凝練和集成一批重大成果，全面提升我國GaN毫米波器件和電路的國際影響力，有力地支撐了我國重大科技項目的實施。