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北京大學研制成功10nm碳納米管CMOS器件

2015-05-15 來源:科技部網站 字號:

近日,在北京市科委先導與優勢材料創新發展專項支持下,北京大學彭練矛教授團隊在全世界范圍內首次成功研制出10納米碳納米管CMOS器件,與同尺寸硅基器件相比,該器件速度是其5倍,而功耗僅為1/5,并在世界上首次成功制備出含有100個晶體管的碳納米管集成電路。課題的研究成果表明在10納米以下技術節點,碳納米管CMOS器件相對于硅基CMOS器件具有巨大優勢,這將大大增強研究機構和芯片公司對碳納米管電子學的信心,為2020年之后的集成電路技術的發展和選擇奠定重要基礎。

下一步,該團隊將繼續優化碳納米管CMOS器件制備工藝,建立標準的碳基CMOS器件技術加工平臺,并基于該平臺開發碳納米管CPU,最終推動碳基集成電路在下一代通用芯片和消費電子等領域的應用。

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