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上海微系統(tǒng)所在超導材料的自旋漲落和電子平帶結(jié)構(gòu)研究方面取得重要進展

2019-05-13 來源:上海微系統(tǒng)所 字號:

美國萊斯大學戴鵬程教授,李鈺博士,以及北京師范大學殷志平教授課題組與中科院上海微系統(tǒng)所沈大偉研究員和劉中灝副研究員等課題組開展合作研究,利用中子散射,角分辨光電子能譜實驗測量和動力學平均場理論計算,對高質(zhì)量的SrCo2As2單晶的自旋漲落和電子能帶結(jié)構(gòu)進行研究,首次提供了該材料中存在與電子平帶結(jié)構(gòu)有關(guān)的反鐵磁和鐵磁自旋漲落共存的直接實驗證據(jù)。相關(guān)論文“Coexistence of Ferromagnetic and Stripe Antiferromagnetic Spin Fluctuations in SrCo2As2”發(fā)表在Physical Review Letters 122, 117204 (2019)。

在鐵基超導材料122體系AFe2-xCoxAs2 (A=Ca,Sr,Ba)中,Co元素摻雜壓制了材料母體的反鐵磁序,形成自旋單態(tài)電子配對的超導體。從電子結(jié)構(gòu)上看,一般認為體系的反鐵磁相和超導電性是由費米面嵌套引起的。Co摻雜在材料中引入了電子。隨著Co摻雜比例增加,體系電子關(guān)聯(lián)強度變?nèi)?,化學勢上升,費米能級附近的dx2-y2電子軌道形成的平帶電子結(jié)構(gòu)開始對材料電子性質(zhì)起主要作用。

該工作結(jié)合動力學平均場理論計算和角分辨光電子能譜實驗測量,發(fā)現(xiàn)SrCo2As2費米能級附近的dx2-y2電子軌道在動量空間G-M方向上形成平帶結(jié)構(gòu),而在其垂直方向上保持色散。中子散射測量得到材料中反鐵磁和鐵磁自旋漲落共存。鐵磁漲落的能量與電子平帶的能量相當,而計算表明總動態(tài)自旋極化率主要來自dx2-y2軌道貢獻。因此電子平帶與材料中的反鐵磁和鐵磁自旋漲落都有密切關(guān)系。在Co重摻雜區(qū)域,dx2-y2軌道靠近費米能級,鐵磁漲落增強。鐵磁漲落與和超導電子配對有關(guān)的反鐵磁漲落競爭,逐漸破壞了超導。該工作首次實驗揭示了鐵基超導體中電子平帶結(jié)構(gòu)與磁漲落的關(guān)系,對鐵基超導材料中的多軌道物理特性,軌道依賴的電子關(guān)聯(lián)強度和超導電子配對機制的研究都有重要意義。

李鈺為該工作第一作者。殷志平,劉中灝和戴鵬程為該工作共同通訊作者。該工作得到國家自然科學基金等項目的支持。

圖(a)3d電子軌道圖。(b)理論計算的高對稱方向電子能帶圖。(c)G-M方向電子結(jié)構(gòu)及連接平帶未占據(jù)態(tài)電子散射通道。(d)實驗測量的電子能帶結(jié)構(gòu)。(e)理論計算的總動態(tài)自旋極化率。(f)理論計算的dx2-y2軌道貢獻的動態(tài)自旋極化率。

主題閱讀: 超導材料
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