IEEE電力電子學(xué)會(PELS)在線研討會: “充分發(fā)揮采用芯片級封裝的氮化鎵晶體管及集成電路的優(yōu)勢”
IEEE電力電子學(xué)會(PELS)將于2016年11月3日(星期四)舉行在線研討會,屆時將由Alex Lidow及Michael de Rooij主講并與參加者分享采用芯片級封裝的氮化鎵功率器件的設(shè)計及PCB制造方法。
氮化鎵技術(shù)領(lǐng)袖宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的專家將于美國東部夏令時間(EDT)11月3日(星期四)早上11時至中午12時于IEEE電力電子學(xué)會(PELS)在線研討會中與工程師分享如何設(shè)計及使用氮化鎵晶體管。
相比硅基等效器件,由于氮化鎵晶體管及集成電路的開關(guān)速度快很多及尺寸更小,因此推動了眾多全新應(yīng)用的出現(xiàn),例如包絡(luò)跟蹤、LiDAR和無線電源傳輸?shù)葢?yīng)用,以及提高醫(yī)療成像系統(tǒng)的功效。我們將于是次在線研討會中分享工程師需要了解的設(shè)計及PCB制造方法,從而充分發(fā)揮芯片級封裝于速度及尺寸方面的優(yōu)勢。
是次研討會的主講者為EPC公司的首席執(zhí)行官及共同創(chuàng)始人Alex Lidow與應(yīng)用工程副總裁Michael de Rooij。他們的著作眾多,包括《高效功率轉(zhuǎn)換 - 氮化鎵晶體管》,他們是該書的共同作者之一。該書是業(yè)界第一本關(guān)于氮化鎵晶體管的設(shè)計及應(yīng)用的教科書。
在線研討會的注冊詳情
題目:充分發(fā)揮采用芯片級封裝的氮化鎵晶體管及集成電路的優(yōu)勢日期:2016年11月3日星期四
時間:美國東部夏令時間(EDT)早上11時至中午12時
注冊:https://attendee.gotowebinar.com/register/669598560227319297
費(fèi)用:全免
關(guān)于電氣電子工程師學(xué)會(IEEE)--電力電子學(xué)會(PELS)
電力電子學(xué)會(PELS)是電氣電子工程師學(xué)會(IEEE)發(fā)展迅速的專業(yè)技術(shù)協(xié)會之一。PELS在過去超過20年間促進(jìn)及引領(lǐng)電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新。電力電子技術(shù)涵蓋采用高效能電子元件、電路原理及設(shè)計技術(shù)的應(yīng)用、面向高效電源轉(zhuǎn)換的分析工具的開發(fā),以及電能的控制和狀況。PELS的會員包括著名的研發(fā)人員、從業(yè)員及獲獎?wù)?。IEEE PELS著有《IEEE Transactions on Power Electronics》,是眾多IEEE著作中擁有最高引用率的著作之一。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司簡介
宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商,為首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管,其目標(biāo)應(yīng)用包括 直流-直流轉(zhuǎn)換器、無線電源傳送、包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、激光雷達(dá)(LiDAR)及D類音頻放大器等應(yīng)用,氮化鎵器件的性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。