射頻和微波混合電路——基礎(chǔ)、材料和工藝
| 定價(jià)： | ￥ 42 | ||
| 作者： | （美）布朗（Brown,R.） 著，孫海 等譯 | ||
| 出版： | 電子工業(yè)出版社 | ||
| 書(shū)號(hào)： | 9787121033575 | ||
| 語(yǔ)言： | 簡(jiǎn)體中文 | ||
| 日期： | 2006-11-01 | ||
| 版次： | 1 | 頁(yè)數(shù)： | 304 |
| 開(kāi)本： | 16開(kāi) | 查看： | 0次 |
| 服務(wù)商城 | 客服電話(huà) | 配送服務(wù) | 優(yōu)惠價(jià) | 購(gòu)買(mǎi) |
 | 400-711-6699 | 滿(mǎn)29至69元，免運(yùn)費(fèi)！ | ￥33.6 |  |
近年來(lái)，無(wú)線通信、汽車(chē)電子和國(guó)防電子的發(fā)展使電子行業(yè)對(duì)高頻系統(tǒng)的需求快速增長(zhǎng)。與單片微波集成電路（MMIC）的持續(xù)發(fā)展相呼應(yīng)，混合微波集成電路（HMIC）的新材料和新工藝也有了很大發(fā)展。本書(shū)首先對(duì)射頻微波的基本概念作了簡(jiǎn)要介紹，比較了單片微波集成電路和混合微波集成電路的特點(diǎn)，講述了作為射頻微波基礎(chǔ)元件的傳輸線和混合電路工藝的“波導(dǎo)”結(jié)構(gòu)；然后從射頻微波應(yīng)用的角度對(duì)基礎(chǔ)材料（導(dǎo)體、介質(zhì)和基片）及其性能進(jìn)行了討論，包括它們對(duì)于阻抗、電路高頻性能的影響；最后探討了混合微波集成電路的各種適用工藝。
本書(shū)適合從事混合微波集成電路（HMIC）研發(fā)的設(shè)計(jì)工程師、工藝工程師和材料工程師閱讀，也適合作為高等學(xué)校電子工程、微電子和微波工程專(zhuān)業(yè)高年級(jí)大學(xué)生和研究生的教學(xué)參考書(shū)。
作者簡(jiǎn)介
理查德·布朗，是美國(guó)的混合電路技術(shù)和工程咨詢(xún)專(zhuān)家，在薄厚膜、電鍍和基板技術(shù)方面有30多年工作經(jīng)驗(yàn)。他最初在貝爾電話(huà)實(shí)驗(yàn)室參加工作。著作有：《射頻和微波混合電路——基礎(chǔ)、材料和工藝》，《混波混合電路的材料和工藝》。
第1章 混合微波集成電路與單片微波集成電路
參考文獻(xiàn)
第2章 基本概念
2.1 引言
2.2 麥克斯韋定律
2.3 介電常數(shù)與磁導(dǎo)率
2.4 自由空間波長(zhǎng)
2.5 傳播速度
2.6 分貝（dB）
2.7 Q值測(cè)量
2.8 小信號(hào)（S參數(shù)）
參考文獻(xiàn)
第3章 平面波導(dǎo)
3.1 阻抗
3.2 微帶
3.2.1 波導(dǎo)波長(zhǎng)（λg）
3.3 共面波導(dǎo)
3.4 帶狀線
參考文獻(xiàn)
第4章 電流及損耗
4.1 介質(zhì)損耗
4.1.1 tanδ
4.1.2 各向異性
4.2 導(dǎo)體損耗
4.2.1 波導(dǎo)波長(zhǎng)損耗
4.2.2 衰減
4.2.3 回波損耗
4.2.4 電壓駐波比（VSWR）
4.2.5 趨膚深度
4.2.6 附著層
4.2.7 表面粗糙度
參考文獻(xiàn)
第5章 基片
5.1 玻璃
5.2 單晶
5.3 多晶陶瓷
5.3.1 制造
5.3.2 基片的特性
5.4 低溫共燒陶瓷(LTCC)
5.5 覆銅板材料
5.5.1 玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg
5.5.2 材料性能
5.5.3 制造
5.5.4 機(jī)械刻圖
5.6 清洗
5.6.1 濕法清洗工藝
5.6.2 干法清洗工藝
5.7 安全事項(xiàng)
參考文獻(xiàn)
第6章 厚膜
6.1 絲網(wǎng)印刷
6.2 金屬箔掩模
6.3 光刻厚膜
6.3.1 光刻厚膜
6.3.2 光敏厚膜
6.4 加法工藝
6.4.1 金屬有機(jī)物
6.4.2 直接繪圖
6.4.3 直接鍵銅（DBCu）
參考文獻(xiàn)
第7章 薄膜
7.1 物理氣相沉積
7.1.1 蒸發(fā)沉積
7.1.2 濺射
參考文獻(xiàn)
第8章 介質(zhì)沉積
8.1 等離子增強(qiáng)低壓化學(xué)氣相沉積（PELPCVD）
8.2 陽(yáng)極化
參考文獻(xiàn)
第9章 聚合物
9.1 材料性能
9.1.1 吸濕性
9.1.2 機(jī)械性能
9.1.3 玻璃轉(zhuǎn)化溫度（Tg)
9.1.4 平坦化
9.2 沉積
9.2.1 旋涂
9.2.2 噴涂
9.2.3 絲網(wǎng)印刷
9.2.4 其他沉積方法
9.3 圖形化
9.3.1 濕法刻蝕
9.3.2 干法刻蝕
9.3.3 光敏聚合物
參考文獻(xiàn)
第10章 加工方法
第11章 光刻
11.1 光刻膠
11.1.1 旋涂
11.1.2 噴涂
11.1.3 輥涂
11.1.4 半月涂覆
11.1.5 電沉積
11.1.6 干膜
11.1.7 浸涂
11.2 原圖和掩模
11.3 曝光
11.3.1 非準(zhǔn)直光光源
11.3.2 大泛光光源
11.3.3 短泛光光源
11.3.4 準(zhǔn)直光光源
11.3.5 激光曝光
參考文獻(xiàn)
第12章 電鍍
12.1 綜述
12.2 無(wú)機(jī)添加劑
12.3 有機(jī)添加劑
12.4 波形
12.4.1 非均衡直流
12.4.2 脈沖
12.5 電場(chǎng)密度
12.6 化學(xué)鍍
參考文獻(xiàn)
第13章 刻蝕
13.1 濕法刻蝕
13.2 干法刻蝕
13.2.1 濺射刻蝕
13.2.2 離子束研磨
13.2.3 反應(yīng)刻蝕技術(shù)
13.3 刻蝕對(duì)阻抗的影響
參考文獻(xiàn)
第14章 元件
14.1 無(wú)源元件
14.1.1 電阻
14.1.2 衰減器
14.1.3 電容器
14.1.4 電感器
14.2 傳輸線元件
14.2.1 互易功分器/功合器
14.2.2 濾波器
參考文獻(xiàn)
第15章 封裝
15.1 集成化
15.2 互連
15.2.1 圓線
15.2.2 條帶
15.2.3 修正的載帶自動(dòng)鍵合（TAB）
15.2.4 集成的跨接線
15.2.5 外殼
15.2.6 熱膨脹
15.2.7 基板貼裝
15.2.8 接地
15.2.9 通孔
15.2.10 可電鍍性
15.2.11 時(shí)域反射計(jì)（TDR）
參考文獻(xiàn)
第16章 超導(dǎo)
16.1 高轉(zhuǎn)變溫度（Tc）材料的性質(zhì)
16.2 材料因素
16.3 基板材料
16.4 膨脹系數(shù)
16.5 緩沖（阻擋）層
16.6 膜的形成
16.6.1 偏軸（off-axis）濺射
16.6.2 脈沖激光沉積
16.6.3 蒸發(fā)
16.6.4 有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD)
16.7 圖形制作
16.7.1 濕法刻蝕
16.7.2 干法刻蝕
參考文獻(xiàn)
第17章 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）
參考文獻(xiàn)
附錄A 符號(hào)定義
附錄B 公司名錄
附錄C 單位換算
附錄D 對(duì)微帶的w/h和εeff的圖解評(píng)估
粵公網(wǎng)安備 44030902003195號(hào)