物理學報  2002, Vol. 51  Issue (6): 1321-1325

a-C:F薄膜的熱穩(wěn)定性與光學帶隙的關聯(lián)
楊慎東, 寧兆元, 黃峰, 程珊華, 葉超
蘇州大學物理系,蘇州215006;
 
Yang Shen-Dong, Ning Zhao-Yuan, Huang Feng, Cheng Shan-Hua, Ye Chao

摘要： 以CF4和C6H6的混合氣體作為氣源,在微波電子回旋共振化學氣相沉積(ECRCVD)裝置中制備了氟化非晶碳薄膜(aC:F),并在N2氣氛中作了退火處理以考察其熱穩(wěn)定性.通過傅里葉變換紅外吸收譜和紫外可見光譜獲得了薄膜中CC雙鍵的相對含量和光學帶隙,發(fā)現(xiàn)膜中CC鍵含量與光學帶隙之間存在著密切的關聯(lián),在高微波功率下沉積的氟化非晶碳膜具有低的光學帶隙和較好的熱穩(wěn)定性.

引用本文:   
楊慎東,寧兆元,黃峰 等 . a-C:F薄膜的熱穩(wěn)定性與光學帶隙的關聯(lián). 物理學報, 2002, 51(6): 1325. 
Cite this article:   
Yang Shen-Dong,Ning Zhao-Yuan,Huang Feng et al. . Acta Phys. Sin., 2002, 51(6): 1321-1325. 
 

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