物理學(xué)報  2001, Vol. 50  Issue (4): 779-783

賀德衍
蘭州大學(xué)物理系,蘭州730000
CONTROL OF THE SURFACE REACTIONS DURING THE LOW-TEMPERATURE GROWTH OF POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS
HE DE-YAN

摘要： 報道用SiF4和H2的間接微波等離子體化學(xué)氣相沉積方法低溫生長多晶硅(poly-Si)薄膜.實驗發(fā)現(xiàn),等離子體中的離子、荷電集團對薄膜生長表面的轟擊是影響薄膜結(jié)晶質(zhì)量的重要因素之一.通過外加偏壓抑制這些荷電粒子的動能是控制表面生長反應(yīng)、制備高質(zhì)量ploy-Si薄膜的有效方法.在合適的外加偏壓下制備的poly-Si薄膜,氫含量僅約為0.9at%,中心位于520cm-1的Raman特征峰半高寬約為4.4cm-1.

引用本文:   
賀德衍. 多晶硅薄膜低溫生長中的表面反應(yīng)控制. 物理學(xué)報, 2001, 50(4): 783. 
Cite this article:   
HE DE-YAN. CONTROL OF THE SURFACE REACTIONS DURING THE LOW-TEMPERATURE GROWTH OF POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS. Acta Phys. Sin., 2001, 50(4): 779-783. 

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