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電子回旋共振等離子體源的數值模擬
采用自洽微波功率吸收的二維混合模型,對電子回旋共振等離子體源中的各種物理參量(電離速率、等離子體密度、位勢、電子溫度)進行數值模擬.
更新時間：2013-03-18星級：大?。?33KB -
諧振腔鏈色散關系及場分布的解析研究
從圓柱坐標系下的Borgnis位函數的齊次標量Helmholtz方程出發，引入慢波駐波概念及其場 表達式，利用Borgnis位函數的邊界條件及相鄰子區公共界面上的場匹配條件，導出了整...
更新時間：2013-03-18星級：大?。?13KB -
含克爾介質微波激射器的原子輻射率
建立了含克爾介質微波激射器(micromaser with Kerr medium)的基本量子原理,分析計算了處于不同方式(熱原子和超冷原子狀態)下的二能級原子沿z軸穿過處于相干態的含克爾...
更新時間：2013-03-15星級：大小：214KB -
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超冷V型三能級原子注入的微波激射:原子相干性對腔場光子統計的影響
建立了超冷V型三能級原子注入的微波激射的腔場光子統計的量子理論,研究了原子相干性對光子統計性質的影響.
更新時間：2013-03-15星級：大小：420KB -
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納米Si/C/N復相粉體的微波介電特性
研究了納米Si/C/N復相粉體在8.2—18GHz的微波介電特性,采用雙反應室激光氣相合成納米粉體裝置,以六甲基二硅胺烷((Me3Si)2NH)(Me∶CH3)為原料,用激光誘導氣相反應法合成納...
更新時間：2013-03-14星級：大小：232KB -
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多晶硅薄膜低溫生長中的表面反應控制
摘要： 報道用SiF4和H2的間接微波等離子體化學氣相沉積方法低溫生長多晶硅(poly-Si)薄膜.實驗發現,等離子體中的離子、荷電集團對薄膜生長表面的轟擊是影響薄膜結晶質量的...
更新時間：2013-03-14星級：大?。?52KB
射頻器件選型工具：射頻連接器 轉接器/旋轉關節 隔直器/偏置器 負載/終端 衰減器 功分器/合路器 耦合器/電橋/巴倫 波同轉換器 連接波導 喇叭天線 力矩扳手
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