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RFMD的PowerSmart電源平臺(tái)達(dá)到4G性能新里程碑

2011-01-18 來(lái)源:微波射頻網(wǎng) 字號(hào):

設(shè)計(jì)和制造高性能射頻元件及化合物半導(dǎo)體技術(shù)商RF Micro Devices, Inc. (RFMD)宣布其PowerSmart電源平臺(tái)已達(dá)到重大的性能里程碑。 RFMD的PowerSmart電源平臺(tái)為一全新的產(chǎn)品類別,其重塑了多模、多頻蜂巢式射頻架構(gòu)的未來(lái)。

在獨(dú)立產(chǎn)品測(cè)試中,RFMD的PowerSmart電源平臺(tái)達(dá)到了HSPA+4G數(shù)據(jù)上傳速度,同時(shí)所耗電流比競(jìng)爭(zhēng)性解決方案少15%。而例行性用來(lái)評(píng)估每個(gè)新蜂巢式產(chǎn)品前端、收發(fā)器和基頻的產(chǎn)品合格測(cè)試,目前也已透過(guò)支援涵蓋多種規(guī)格的產(chǎn)品系列而進(jìn)行,該產(chǎn)品將于2011年三月由蜂巢式設(shè)備主要制造商推出。

PowerSmart電源平臺(tái)具備一新射頻可配置功率核心(RF Configurable Power Core),可提供所有蜂巢式通訊調(diào)變方案的多頻、多模覆蓋率,包括GSM / GPRS、EDGE、,EDGE Evolution、CDMA、3G (TD-SCDMA或WCDMA)和4G(HSPA+,LTE或WiMAX)。

HSPA + 4G裝置可達(dá)到每秒22megabit(Mbps)的最高數(shù)據(jù)上傳速度。由于PowerSmart的射頻可配置功率核心兼容于目前和已知的未來(lái)4G標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)技術(shù)(HSPA+,LTE QPSK, LTE 16QAM和LTE 64QAM),因此RFMD預(yù)期之后內(nèi)建PowerSmart的智慧型手機(jī)將可支援高于22 Mbps的上傳速度。

除了射頻可配置功率核心進(jìn)行所有功率放大和電源管理功能,RFMD的PowerSmart電源平臺(tái)更將所有必要的轉(zhuǎn)換和訊號(hào)處理功能包含于一個(gè)精小的參考設(shè)計(jì)中,提供智慧型手機(jī)制造商一個(gè)針對(duì)整個(gè)蜂巢式前端的單一可擴(kuò)展來(lái)源。

關(guān)于 RFMD
RF Micro Devices(NASDAQ GS 代碼:RFMD)堪稱在高性能半導(dǎo)體元件的設(shè)計(jì)與制造方面的全球領(lǐng)先廠商之一。 RFMD 的產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)全球移動(dòng)性,提供更高的連接能力,以及支持蜂窩手機(jī)、無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施、無(wú)線局域網(wǎng) (WLAN)、有線電視網(wǎng)絡(luò)/寬帶、航空及國(guó)防市場(chǎng)中的高級(jí)功能。 RFMD 因其多樣化的半導(dǎo)體技術(shù)以及RF 系統(tǒng)專業(yè)技能而得到業(yè)界的認(rèn)可,并且是受全球領(lǐng)先移動(dòng)設(shè)備、客戶端設(shè)備及通訊設(shè)備制造商所青睞的供應(yīng)商。

主題閱讀: RFMD  4G半導(dǎo)體
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