中國科學院電工研究所王秋良研究組采用自主研發(fā)的高溫內(nèi)插磁體技術(shù)，將YBCO內(nèi)插磁體在15T超導背場下的中心磁場提高到了24T@4.2K，使得中國成為繼美國、日本、韓國之后實現(xiàn)24T全超導磁體的國家。

與Bi2223內(nèi)插超導磁體相比，YBCO超導磁體具有更高的上臨界磁場和臨界電流，運行穩(wěn)定性更高，更容易獲取極高磁場。目前僅有美國的國家高場實驗室、日本的東北大學高場實驗室以及韓國的SuNAM超導公司能夠?qū)崿F(xiàn)24T以上全超導磁體。

王秋良研究組在國家自然基金資助下采用YBCO帶材研制高場內(nèi)插磁體。研究人員采用分級設計的方式提高了整個線圈的安全裕度，并通過特殊設計的焊接裝置制作了性能優(yōu)良的磁體接頭，制作的內(nèi)插磁體在液氮測試條件下當運行電流為32A時，中心磁體達到了1.62T@77K。而在液氦測試條件下，內(nèi)插磁體在運行電流為167A時，在15T的超導背場中產(chǎn)生了9T的中心磁場，從而實現(xiàn)了中心場為24T的全超導磁體，其最高場為24.3T。

24T極高場全超導磁場的實現(xiàn)，標志著我國在研制高場內(nèi)插磁體方面走在世界前列，也標志著我國逐步吸收和掌握了極高場磁體的制作技術(shù)并積累了豐富的經(jīng)驗，為實現(xiàn)GHz級別的譜儀磁體和極高場大科學裝置奠定了基礎。

超導磁體勵磁曲線