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聯(lián)華電子加入IBM芯片聯(lián)盟,共同開發(fā)10nm工藝技術(shù)

2013-07-03 來源:微波射頻網(wǎng) 字號(hào):

聯(lián)華電子(UMC)與IBM近期共同宣布,聯(lián)華電子將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟,共同開發(fā)10nm CMOS工藝技術(shù)。

IBM半導(dǎo)體研發(fā)副總Gary Patton表示,“IBM聯(lián)盟成立至今已逾十年,聯(lián)盟伙伴可整合運(yùn)用我們的專業(yè)知識(shí),團(tuán)隊(duì)研究合作與創(chuàng)新的技術(shù)研發(fā),藉此滿足對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)品與日俱增的需求。聯(lián)華電子的加入,將使聯(lián)盟的實(shí)力更加強(qiáng)大。”

聯(lián)華電子執(zhí)行長顏博文表示,“IBM為眾所公認(rèn)的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。聯(lián)華電子十分高興與IBM在先進(jìn)基礎(chǔ)方面攜手合作,貢獻(xiàn)我們多年來開發(fā)高競爭力制造技術(shù)所累積的經(jīng)驗(yàn)。身為世界頂尖的晶圓專工廠之一,聯(lián)華電子肩負(fù)著適時(shí)推出前沿工藝,以實(shí)現(xiàn)客戶次世代芯片設(shè)計(jì)的使命與承諾。我們期待與IBM密切合作,借重其深厚的技術(shù)專業(yè)來縮短我們10nm與FinFET 的研發(fā)周期,為聯(lián)華電子與我們的客戶締造雙贏。”

聯(lián)華電子與IBM兩家公司此次的協(xié)議,拓展了雙方于2012年簽訂的14nm FinFET合作協(xié)議。擁有IBM的支持與know-how,聯(lián)華電子將可持續(xù)提升其內(nèi)部自行研發(fā)的14nmFinFET技術(shù),針對(duì)行動(dòng)運(yùn)算與通訊產(chǎn)品,提供富競爭力的低耗電優(yōu)化技術(shù)。雙方計(jì)劃開發(fā)10nm制程基礎(chǔ)技術(shù),以滿足聯(lián)華電子客戶的需求。聯(lián)華電子將指派工程團(tuán)隊(duì)加入位于美國紐約州阿爾巴尼的10nm研發(fā)計(jì)劃,而聯(lián)華電子14nmFinFET與10nm未來的制造,則將在聯(lián)華電子位于臺(tái)灣南科的研發(fā)中心進(jìn)行。

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