歐洲啟動一項為期三年、總投資3.6億歐元（約合4.65億美元）的項目，以促進全耗盡絕緣體上硅（FDSOI）制造工藝在歐洲實現產業化。

該項目名為Places2Be，由在FDSOI工藝領域處于領先地位的意法半導體（ST）公司領導。該項目將在ST位于法國克羅爾市的晶圓廠和格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）公司位于德國德累斯頓市的第一生產廠內建立試生產線。

Places2Be是“在歐洲建立2X生產節點先進絕緣體上硅（SOI）互補金屬氧化物半導體（CMOS）工藝試生產線”的簡寫。Places2Be采用超薄體和埋氧氧化層（UTBB）FDSOI技術，該技術可為晶體管提供從低功耗至高速度的調節能力。該項目由歐洲納電子計劃顧問委員會（ENIAC）納米電子學公私聯合工作組（JU）和來自7個國家的19個公司和學術機構聯合組成的公共機構提供支撐。

由于歐盟和國家公共機構資金投放方式的復雜性，暫時無法確定4.65億美元將如何由納稅人提供。從歷史上看，參與歐盟項目的公司最多可得到總支出成本50%的資金支持，大學最多可以得到總成本75%的資金支持。

ST公司表示，Places2Be項目是ENIAC目前最大的一筆資金投入，目標是支持28nmFDSOI試生產線的建立，未來實現歐洲先進制造工藝量產。資金將用于歐洲FDSOI設計與制造生態系統建立，以及支持后續14nm和10nm節點的發展。

FDSOI具備低功耗，高性能、可替代體硅CMOS和FinFET技術等優點，普遍認為將取代體硅CMOS技術。ST公司表示，FDSOI速度更快，溫度更低，且更容易實現；但從目前來看，主要的芯片制造商如英特爾，臺積電和三星公司對此并不認同。ST公司已經在法國克羅爾市開始該技術的研發，第一個FDSOI系統計劃將用于消費電子、高性能計算和網絡。

該項目包括來自7個國家的19個單位，分別是瑞典ACERO公司、阿迪克森真空產品公司、Axiom集成電路公司、Bruco集成電路公司、法國原子能暨替代能源委員會、海豚集成公司、愛立信公司、eSilicon羅馬尼亞公司、ForschungzentrumJuelichGmbh公司、格羅方德公司、格勒諾布爾INP公司、比利時微電子研究中心（IMEC）、離子束服務（IBS）公司、明導圖形法國公司、法國Soitec公司、意法愛立信公司、意法半導體公司、魯汶天主教大學和特文特大學。未來三年計劃有500名工程師參與其中。

（工業和信息化部電子科學技術情報研究所張倩）