7月6日，三星電子宣布，三星高級技術學院(SAIT)的研究人員與蔚山國家科學技術學院(UNIST)、劍橋大學兩家高校合作，發現了一種名為非晶態氮化硼(a-BN)的新材料，此項研究可能加速下一代半導體材料的問世。

三星指出，最近，SAIT一直在研究二維（2D）材料-具有單原子層的晶體材料的研究和開發。具體而言，該研究所一直致力于石墨烯的研究和開發，并在該領域取得了突破性的研究成果，例如開發新的石墨烯晶體管以及生產大面積單晶晶片的新方法。除了研究和開發石墨烯外，SAIT還致力于加速材料的商業化。

“為了增強石墨烯與硅基半導體工藝的兼容性，半導體襯底上的晶圓級石墨烯生長應在低于400°C的溫度下進行。”SAIT的石墨烯項目負責人兼首席研究員Shin Hyeon-Jin Shin表示。“我們還在不斷努力，將石墨烯的應用范圍擴展到半導體以外的領域。”

Source：三星

新聞稿指出，新發現的材料稱為非晶氮化硼（a-BN），由具有非晶分子結構的硼和氮原子組成。盡管非晶態氮化硼衍生自白色石墨烯，其中包括以六邊形結構排列的硼和氮原子，但實際上a-BN的分子結構使其與白色石墨烯具有獨特的區別。

非晶氮化硼具有超低介電常數，僅1.78，具有強大的電氣和機械性能，可以用作互連隔離材料以最大程度地減少電干擾。同時也證明了該材料可以在400°C的低溫下以晶圓級生長。因此，預計非晶氮化硼將廣泛應用于諸如DRAM和NAND解決方案等半導體，尤其是在用于大型服務器的下一代存儲器解決方案中。

“最近，人們對2D材料及其衍生的新材料的興趣不斷增加。但是，將材料應用于現有的半導體工藝仍然存在許多挑戰。”SAIT副總裁兼無機材料實驗室負責人Park Seongjun Park說。“我們將繼續開發新材料來引領半導體范式的轉變。”

文稿來源：三星電子